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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Pontuação geral
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
65
92
Por volta de 29% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
15.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.2
1,592.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
5300
Por volta de 3.62 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
65
92
Velocidade de leitura, GB/s
3,580.8
15.1
Velocidade de escrita, GB/s
1,592.0
8.2
Largura de banda de memória, mbps
5300
19200
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
572
1640
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparações de RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
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Kingston 9965589-030.D01G 8GB
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Kingston XF875V-HYA 8GB
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