RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Comparar
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Pontuação geral
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
11.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
61
Por volta de -126% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.8
1,670.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
61
27
Velocidade de leitura, GB/s
3,529.3
11.4
Velocidade de escrita, GB/s
1,670.4
11.8
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
517
2062
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB Comparações de RAM
Kingmax Semiconductor KLDD48F-A8KB5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD21G800816 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB Comparações de RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Kingston 99P5471-002.AOOLF 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ED58E8W1600 2GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link