RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Comparar
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Pontuação geral
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Pontuação geral
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
18.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,254.2
16.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
53
Por volta de -104% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
53
26
Velocidade de leitura, GB/s
4,753.1
18.9
Velocidade de escrita, GB/s
2,254.2
16.6
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
776
3866
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB Comparações de RAM
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link