RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Comparar
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Pontuação geral
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Pontuação geral
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
5
17.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,160.7
12.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
36
43
Por volta de -19% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
43
36
Velocidade de leitura, GB/s
5,987.5
17.3
Velocidade de escrita, GB/s
2,160.7
12.2
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
957
3169
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB Comparações de RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link