RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Comparar
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Pontuação geral
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
5
13.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,160.7
10.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
43
Por volta de -54% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
43
28
Velocidade de leitura, GB/s
5,987.5
13.8
Velocidade de escrita, GB/s
2,160.7
10.1
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
957
2179
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB Comparações de RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston 9905598-026.A00G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHA0 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link