RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Comparar
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB vs Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Pontuação geral
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Pontuação geral
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
5
11
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
43
Por volta de -39% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.4
2,160.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
43
31
Velocidade de leitura, GB/s
5,987.5
11.0
Velocidade de escrita, GB/s
2,160.7
8.4
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
957
2271
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB Comparações de RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB Comparações de RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology C 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARW0B 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link