RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Comparar
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Pontuação geral
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
6
18.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
44
Por volta de -57% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.6
1,892.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
44
28
Velocidade de leitura, GB/s
6,181.5
18.2
Velocidade de escrita, GB/s
1,892.9
14.6
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
851
3384
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link