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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Comparar
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB vs Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Pontuação geral
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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Razões a considerar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
51
73
Por volta de -43% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.6
6.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.8
4.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
8500
Por volta de 3.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
73
51
Velocidade de leitura, GB/s
6.1
15.6
Velocidade de escrita, GB/s
4.7
11.8
Largura de banda de memória, mbps
8500
25600
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1021
2687
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB Comparações de RAM
Kingston 9905474-029.A00LF 2GB
Essencore Limited IMT451U6MFR8Y-EC1 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
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