RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Comparar
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Pontuação geral
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
27
Por volta de -17% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17
13.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.4
8.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
10600
Por volta de 2.42 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
23
Velocidade de leitura, GB/s
13.2
17.0
Velocidade de escrita, GB/s
8.6
13.4
Largura de banda de memória, mbps
10600
25600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2196
2936
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB Comparações de RAM
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
King Tiger Technology Tigo-2133Mhz-8G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link