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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Pontuação geral
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Diferenças
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Razões a considerar
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
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Razões a considerar
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
69
Por volta de -188% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17
6.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.7
3.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
69
24
Velocidade de leitura, GB/s
6.4
17.0
Velocidade de escrita, GB/s
3.7
13.7
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1129
3230
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
Samsung M391B5773DH0-CK0 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
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