RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Comparar
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Pontuação geral
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Pontuação geral
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
69
Por volta de -165% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.6
6.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.2
3.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
69
26
Velocidade de leitura, GB/s
6.4
18.6
Velocidade de escrita, GB/s
3.7
16.2
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1129
3756
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
Samsung M391B5773DH0-CK0 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB Comparações de RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link