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Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
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Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Pontuação geral
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Diferenças
Especificações
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Razões a considerar
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
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Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
41
44
Por volta de -7% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
8.9
4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.7
1,769.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
44
41
Velocidade de leitura, GB/s
4,482.7
8.9
Velocidade de escrita, GB/s
1,769.9
7.7
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
525
2126
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB Comparações de RAM
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB Comparações de RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
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