RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Comparar
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB vs Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Pontuação geral
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Pontuação geral
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
10
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
52
75
Por volta de -44% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.6
2,036.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
75
52
Velocidade de leitura, GB/s
3,986.4
10.0
Velocidade de escrita, GB/s
2,036.1
7.6
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
714
2169
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB Comparações de RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SK Hynix HMT41GS6MFR8C-PB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link