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Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
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Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Pontuação geral
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
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Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
27
Por volta de -17% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.5
13.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.6
9.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
23
Velocidade de leitura, GB/s
13.3
17.5
Velocidade de escrita, GB/s
9.1
14.6
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2324
3260
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB Comparações de RAM
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Kingston KHX1600C10D3/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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