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Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
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Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Pontuação geral
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
35
Por volta de 23% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.8
10.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.0
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
35
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
10.3
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
8.0
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2032
2327
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB Comparações de RAM
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB Comparações de RAM
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A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
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