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Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Comparar
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Pontuação geral
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Pontuação geral
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
37
Por volta de 27% menor latência
Razões a considerar
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
13.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.6
7.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
37
Velocidade de leitura, GB/s
13.1
16.0
Velocidade de escrita, GB/s
7.7
12.6
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2009
2808
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB Comparações de RAM
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
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Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
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