RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Comparar
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Pontuação geral
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Pontuação geral
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
37
Por volta de 27% menor latência
Razões a considerar
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.4
11.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
8.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
37
Velocidade de leitura, GB/s
11.5
15.4
Velocidade de escrita, GB/s
8.5
12.5
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1756
3075
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Comparações de RAM
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB Comparações de RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUW0C 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link