Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB

Pontuação geral
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Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Pontuação geral
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB

Diferenças

  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    18 left arrow 27
    Por volta de -50% menor latência
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    20.4 left arrow 11.5
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    18.1 left arrow 8.5
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    19200 left arrow 10600
    Por volta de 1.81 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    27 left arrow 18
  • Velocidade de leitura, GB/s
    11.5 left arrow 20.4
  • Velocidade de escrita, GB/s
    8.5 left arrow 18.1
  • Largura de banda de memória, mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • Descrição
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Tempos / Velocidade do relógio
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    1756 left arrow 3529
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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