RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Comparar
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Pontuação geral
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
51
Por volta de -76% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.2
11.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.6
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
51
29
Velocidade de leitura, GB/s
11.6
12.2
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
9.6
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1540
2443
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6EFR8A-PB 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB Comparações de RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Mushkin 991586 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link