RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston K531R8-MIN 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Comparar
Kingston K531R8-MIN 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Pontuação geral
Kingston K531R8-MIN 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston K531R8-MIN 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
28
Por volta de -4% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.6
13.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.3
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston K531R8-MIN 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
27
Velocidade de leitura, GB/s
13.4
15.6
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
11.3
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2445
2687
Kingston K531R8-MIN 4GB Comparações de RAM
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Kingston 99U5471-040.A00LF 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Apacer Technology 78.DAGP2.4030B 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link