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Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Comparar
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Pontuação geral
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.4
13.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
39
Por volta de -39% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.1
9.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
39
28
Velocidade de leitura, GB/s
14.4
13.8
Velocidade de escrita, GB/s
9.8
10.1
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2600
2179
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB Comparações de RAM
Samsung M378B1G73AH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
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