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Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
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Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Pontuação geral
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Pontuação geral
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
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Razões a considerar
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
37
Por volta de -42% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.2
15.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
17.3
10.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
37
26
Velocidade de leitura, GB/s
15.5
18.2
Velocidade de escrita, GB/s
10.1
17.3
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2595
3938
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB Comparações de RAM
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Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
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