RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Comparar
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Pontuação geral
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Pontuação geral
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
50
67
Por volta de 25% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
5
15.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.2
1,905.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
50
67
Velocidade de leitura, GB/s
5,143.3
15.3
Velocidade de escrita, GB/s
1,905.1
8.2
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
855
2042
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB Comparações de RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link