RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Comparar
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Pontuação geral
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Pontuação geral
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
50
72
Por volta de 31% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
5
15.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.0
1,905.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
50
72
Velocidade de leitura, GB/s
5,143.3
15.3
Velocidade de escrita, GB/s
1,905.1
8.0
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
855
1817
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB Comparações de RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHA0 16GB
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link