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Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
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Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Pontuação geral
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
38
Por volta de 13% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.8
15.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
10.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Por volta de 1.33% maior largura de banda
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
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Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
33
38
Velocidade de leitura, GB/s
17.8
15.3
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
10.5
Largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
3285
2346
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
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