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Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
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Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Pontuação geral
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
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Razões a considerar
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
19
29
Por volta de -53% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.5
10.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.8
7.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
8500
Por volta de 2.26 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
29
19
Velocidade de leitura, GB/s
10.5
19.5
Velocidade de escrita, GB/s
7.1
15.8
Largura de banda de memória, mbps
8500
19200
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1425
3435
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB Comparações de RAM
Netlist N*D1G7A2250BFD53I2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
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