RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Comparar
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB vs Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Pontuação geral
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Pontuação geral
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
40
Por volta de -21% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.8
13.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
8.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
10600
Por volta de 2.42 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
40
33
Velocidade de leitura, GB/s
13.6
17.8
Velocidade de escrita, GB/s
8.3
12.5
Largura de banda de memória, mbps
10600
25600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2035
3285
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB Comparações de RAM
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4G1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905700-026.A00G 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMW128GX4M4D3000C16 32GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link