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Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Comparar
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB vs Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Pontuação geral
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Pontuação geral
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
40
56
Por volta de 29% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.6
9.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.3
7.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
40
56
Velocidade de leitura, GB/s
13.6
9.3
Velocidade de escrita, GB/s
8.3
7.7
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2035
2200
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB Comparações de RAM
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4G1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB Comparações de RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
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