RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Comparar
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB vs Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Pontuação geral
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
40
45
Por volta de 11% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.6
11.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.5
8.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
40
45
Velocidade de leitura, GB/s
13.6
11.6
Velocidade de escrita, GB/s
8.3
8.5
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2035
2036
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB Comparações de RAM
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4G1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB Comparações de RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link