RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Comparar
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Pontuação geral
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
31
Por volta de 10% menor latência
Razões a considerar
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18
12.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.9
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
31
Velocidade de leitura, GB/s
12.9
18.0
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
14.9
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2112
3711
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB Comparações de RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905678-044.A00G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link