RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Comparar
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
13.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,107.0
10.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
58
Por volta de -107% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
58
28
Velocidade de leitura, GB/s
4,025.3
13.8
Velocidade de escrita, GB/s
2,107.0
10.4
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
670
2354
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB Comparações de RAM
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB Comparações de RAM
AMD R748G2133U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix LuoSilk-8G-1600Mhz 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link