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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Pontuação geral
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Por volta de 1.33% maior largura de banda
Razões a considerar
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
51
Por volta de -82% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17
15.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.6
11.8
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
51
28
Velocidade de leitura, GB/s
15.6
17.0
Velocidade de escrita, GB/s
11.8
13.6
Largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2687
3027
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
A-DATA Technology DDR3 2400 2OZ 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX2133C14S4/16G 16GB
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