RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Comparar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Por volta de 1.33% maior largura de banda
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
51
Por volta de -132% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.3
15.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
11.8
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
51
22
Velocidade de leitura, GB/s
15.6
18.3
Velocidade de escrita, GB/s
11.8
12.5
Largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2687
3122
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB Comparações de RAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMW64GX4M8C3466C16 8GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Kingston KHX1600C10D3/8GXF 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Relatar um erro
×
Bug description
Source link