RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
Comparar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Pontuação geral
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.6
13.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.8
9.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Por volta de 1.33% maior largura de banda
Razões a considerar
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
36
51
Por volta de -42% menor latência
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
51
36
Velocidade de leitura, GB/s
15.6
13.6
Velocidade de escrita, GB/s
11.8
9.6
Largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2687
2227
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link