RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Comparar
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB vs Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Pontuação geral
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.5
6.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
41
Por volta de -37% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
11.7
10.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
41
30
Velocidade de leitura, GB/s
10.7
11.7
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
6.6
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1335
1832
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB Comparações de RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G160081S 4GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link