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Mushkin 991586 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
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Mushkin 991586 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Pontuação geral
Mushkin 991586 2GB
Pontuação geral
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Mushkin 991586 2GB
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Razões a considerar
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
26
Por volta de -13% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.2
13.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.0
7.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Mushkin 991586 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
23
Velocidade de leitura, GB/s
13.8
17.2
Velocidade de escrita, GB/s
7.9
13.0
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2156
3004
Mushkin 991586 2GB Comparações de RAM
Mushkin 999015 4GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
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