RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
Comparar
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB vs Kingston 9965662-012.A01G 16GB
Pontuação geral
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Pontuação geral
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
63
Por volta de -110% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
11.9
7.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.3
5.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
63
30
Velocidade de leitura, GB/s
7.7
11.9
Velocidade de escrita, GB/s
5.0
8.3
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1130
2489
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB Comparações de RAM
Kingston 9905403-084.A01LF 2GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link