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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Pontuação geral
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Pontuação geral
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
36
49
Por volta de 27% menor latência
Razões a considerar
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.8
14.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.5
9.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
12800
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
36
49
Velocidade de leitura, GB/s
14.9
15.8
Velocidade de escrita, GB/s
9.5
11.5
Largura de banda de memória, mbps
12800
25600
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2292
2673
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Comparações de RAM
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB Comparações de RAM
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
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