RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Comparar
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Pontuação geral
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
18.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,077.3
14.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
20
61
Por volta de -205% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
61
20
Velocidade de leitura, GB/s
3,835.2
18.4
Velocidade de escrita, GB/s
2,077.3
14.2
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
606
3540
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB Comparações de RAM
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link