RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Comparar
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Pontuação geral
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Pontuação geral
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
11.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
54
Por volta de -69% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.7
1,308.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
5300
Por volta de 4.02 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
54
32
Velocidade de leitura, GB/s
3,573.5
11.4
Velocidade de escrita, GB/s
1,308.1
12.7
Largura de banda de memória, mbps
5300
21300
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
371
2804
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Comparações de RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 9905625-065.A00G 16GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link