RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Comparar
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Pontuação geral
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Pontuação geral
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
16.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,256.8
13.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
56
64
Por volta de -14% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
6400
Por volta de 4 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
64
56
Velocidade de leitura, GB/s
4,651.3
16.4
Velocidade de escrita, GB/s
2,256.8
13.7
Largura de banda de memória, mbps
6400
25600
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
837
2761
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Comparações de RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB Comparações de RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link