RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Comparar
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Pontuação geral
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
42
Por volta de -20% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.7
9.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.7
6.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
42
35
Velocidade de leitura, GB/s
9.7
13.7
Velocidade de escrita, GB/s
6.0
10.7
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1396
2731
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Comparações de RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link