RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Comparar
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Pontuação geral
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Pontuação geral
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
42
Por volta de -83% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.5
9.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.2
6.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
42
23
Velocidade de leitura, GB/s
9.7
17.5
Velocidade de escrita, GB/s
6.0
13.2
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1396
3171
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Comparações de RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
INTENSO 5641152 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link