RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Comparar
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Pontuação geral
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
42
45
Por volta de 7% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
10600
1900
Por volta de 5.58% maior largura de banda
Razões a considerar
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
11.7
9.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.4
6.0
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
42
45
Velocidade de leitura, GB/s
9.7
11.7
Velocidade de escrita, GB/s
6.0
8.4
Largura de banda de memória, mbps
10600
1900
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-1900, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
no data
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1396
2387
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Comparações de RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB Comparações de RAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link