RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Comparar
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Pontuação geral
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Pontuação geral
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
42
Por volta de -24% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.4
9.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.7
6.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
42
34
Velocidade de leitura, GB/s
9.7
15.4
Velocidade de escrita, GB/s
6.0
10.7
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1396
2739
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Comparações de RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB Comparações de RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Corsair CMK32GX4M2L3200C16 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link