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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Comparar
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB vs Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Pontuação geral
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
Pontuação geral
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
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Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.0
8.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
44
45
Por volta de -2% menor latência
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR3
Latência em PassMark, ns
45
44
Velocidade de leitura, GB/s
13.0
13.0
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
8.2
Largura de banda de memória, mbps
12800
12800
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2079
2069
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB Comparações de RAM
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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