RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Comparar
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Pontuação geral
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
42
Por volta de -56% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.4
10.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.1
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
42
27
Velocidade de leitura, GB/s
10.6
17.4
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
14.1
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2150
3557
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Comparações de RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB Comparações de RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Apacer Technology 78.C2GFP.C700B 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Relatar um erro
×
Bug description
Source link