RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Comparar
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Pontuação geral
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Pontuação geral
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
18.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
71
Por volta de -154% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.3
1,322.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
71
28
Velocidade de leitura, GB/s
2,831.6
18.8
Velocidade de escrita, GB/s
1,322.6
15.3
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
399
3637
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Mushkin 996902 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 9965669-031.A00G 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C16 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link