RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Comparar
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Pontuação geral
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Pontuação geral
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Relatar um erro
Razões a considerar
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
38
71
Por volta de -87% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
9.3
2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
6.6
1,322.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
5300
Por volta de 3.62 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
71
38
Velocidade de leitura, GB/s
2,831.6
9.3
Velocidade de escrita, GB/s
1,322.6
6.6
Largura de banda de memória, mbps
5300
19200
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
399
2107
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Corsair CMZ16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link