RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Comparar
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Pontuação geral
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Pontuação geral
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
14.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
71
Por volta de -173% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.2
1,322.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
71
26
Velocidade de leitura, GB/s
2,831.6
14.3
Velocidade de escrita, GB/s
1,322.6
11.2
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
399
2912
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB Comparações de RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link